IGBT测试难点：
1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好，所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下，自加热效应明显，脉冲测试可以减少自加热效应，所以MOSFET需要进行脉冲IV测试，用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要，需要进行双脉冲动态参数的测试。
大功率IGBT静态参数测试仪认准武汉生产厂家普赛斯仪表，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。详询一八一四零六六三四七六
那么IGBT器件静态参数测试需要哪些仪器呢？
E系列高电压源测单元具有输出及测量电压高（3000V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3000V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
E300高电压源测单元
HCPL100型高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。
设备可应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。
HCPL100型高电流脉冲电源
P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。P系列源表适用于各行各业使用者，特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
P系列脉冲源表
IGBT静态参数测试系统简介
功率器件静态参数测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的静态参数，电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。
大功率IGBT静态参数测试仪特点
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高电压：支持高达3KV高电压测试；
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大电流：支持高达4KA大电流测试；
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高精度：支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量；
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丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；
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配置导出：支持一键导出参数配置及一键启动测试功能；
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数据预览及导出：支持图形界面以及表格展示测试结果，亦可一键导出；
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模块化设计：内部采用模块化结构设计，可自由配置，方便维护；
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可拓展：支持拓展温控功能，方便监控系统运行温度；
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可定制开发：可根据用户测试场景定制化开发；
技术指标
大功率IGBT静态参数测试仪应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN；
以上是关于大功率IGBT静态参数测试仪的基本信息，更多有关大功率IGBT静态参数测试仪的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表一八一四零六六三四七六
